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FFPF08H60S
— Hyperfast II Diode
Typical Performance Characteristics
TC
= 25°C unless otherwise noted
Figure 3. Typical Forward Voltage Drop
Figure
4. Typical Reverse
Current
Figure 5.
Typical Junction
Capacitance
Figure
6.
Typical Reverse
Recovery Time
Figure 7. Typical Reverse Recovery
Current
Figure 8. Forward
Current
Deration
C
urve
0.1
012345
1
10
100
TC=150oC
TC=100oC
F
O
RW
ARD
CURRENT,
I
F
[A]
FORWARD VOLTAGE, VF
[V]
TC=25oC
0 100 200 300 400 500 600
1E-3
0.01
0.1
1
10
100
TC=125oC
REVERSE
CURRENT
, I
R
[
μ
A]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
TC=25oC
1
10
100
0
20
40
60
80
JUNCTION CAPACITANCE, C
J
[pF]
REVERSE VOLTAGE, VR
[V]
f=1MHz
100
200
300 400 500 600
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
TC=125oC
REVERSE RECOVERY TIME,
T
rr
[n
s]
diF/dt [A/μs]
TC=25oC
IF=8A
100
200
300 400 500 600
0
2
4
6
8
10
12
14
REVERSE RECOVERY CURRENT, I
rr
[A]
diF/dt
[A/μs]
TC=125oC
TC=25oC
IF=8A
80 90 100 110 120 130 140 150
0
2
4
6
8
10
AVERAG
E
RECTIF
IED
FOR
W
ARD
CURRENT
,
I
F(AV)
[A]
CASE TEMPERATURE, TC
[
oC]
DC
?2007
Fairchild Semiconductor
Cor
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R
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